赛后接受采访，写作傅园慧一副惊讶的表情，不相信自己游进了58秒95，对自己的成绩非常吃惊，对自己的状态感到非常满意，称自己使用了洪荒之力。

对于有机半导体，痛道烷基链对分子间的堆积和电荷传输具有重要作用。写知图2NFA薄膜的结构表征a）NFA薄膜的归一化光吸收光谱。

NFA基OPV电池的能量损耗被抑制至0.7eV以下，写作从而将PCE提升至≈15％。自2015年以来，痛道供体-受体概念被纳入ITIC等非富勒烯受体（NFAs）的设计中。目前，写知基于Y6系统的OPV电池的PCE产量已超过16％，在商业应用中显示出巨大的潜力。

图4薄膜的AFM表征a-c）AFM高度图像：写作a）PBDB-TF：BTP-eC11，b）PBDB-TF：BTP-eC9，和c）PBDB-TF：BTP-eC7混合膜。痛道e）器件的Photo-CELIV曲线。

授权发明专利18项（中国16项，写知美国2项）。

写作长期从事有机光伏材料设计和器件制备研究。通过扫描隧道显微镜(STM)，痛道扫描透射电子显微镜(STEM)和密度泛函理论（DFT）计算确定了该材料78K和300K的两个结构相，痛道角分辨光电子能谱结合DFT计算揭示了两个相能带结构的变化，根据低能电子衍射谱随温度的演变，证明了两个结构之间的相变是可逆的，并且可以发生在整个样品上。

图2c显示Cu2Se与石墨烯的层间距为0.34nm，写知表现为范德华相互作用。 图2温度为300K时单层Cu2Se的STEM图像 通过对Cu2Se样品进行扫描透射电子显微镜(STEM)表征，写作进一步证实了图1h所示的原子结构就是温度为300K时单层Cu2Se的原子结构。

图4ARPES和DFT计算的能带结构 78K时，痛道z-Cu2Se的能带结构如图4a-4c所示，ARPES表征与DFT计算结果吻合地很好(4b)，Γ点处费米面附近的能带劈裂为两组。随着温度的升高，写知z-Cu2Se变为l-Cu2Se，对称性从C2变为C3，更高的原子结构对称性导致了原本劈裂的两组能带简并在了一起。